碳化硅微粉化學(xué)除碳工藝有哪幾種

   碳化硅是一種人造材料，在工業(yè)生產(chǎn)中碳化硅的冶煉多采用碳熱還原法，以石英砂，焦炭，木屑和工業(yè)鹽為基礎(chǔ)材料，在電爐中高溫冶煉而成。碳化硅材料因其具有強(qiáng)度高，硬度高，耐磨損，耐腐蝕，抗氧化，高熱導(dǎo)和熱穩(wěn)定性好等性能，在各個(gè)工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。碳化化的種類有很多，如碳化硅粉，碳化硅微粉，碳化硅塊，碳化硅球等。由于碳化硅微粉在生產(chǎn)過(guò)程中原料中不完全反應(yīng)以及加工設(shè)備和外界環(huán)境的影響，使得加工成的碳化硅微粉存在很多雜質(zhì)。這些雜質(zhì)主要包括游離的碳，石墨，硅和二氧化硅以及鐵，鋁等金屬單質(zhì)及其氧化物，它們的存在嚴(yán)重影響了碳化硅的物理化學(xué)性能和使用范圍。

   加熱氧化法。通過(guò)對(duì)碳化硅微粉進(jìn)行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應(yīng)，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實(shí)現(xiàn)了除碳的目的。工藝條件是煅燒溫度900攝氏度，煅燒時(shí)間3小時(shí)，碳化硅內(nèi)部的碳雜質(zhì)得到了完全去除。在一定的溫度及時(shí)間范圍內(nèi)，加熱氧化法對(duì)碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)去除率可達(dá)98%，但由于粒徑為微粉級(jí)的碳化硅表面積過(guò)大，如果加熱溫度過(guò)高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成氧化薄膜二氧化硅可能將碳化硅微粉包裹，從而不利于碳雜質(zhì)的去除。

   化學(xué)氧化法，利用硝酸，硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用，或者在酸中添加作無(wú)機(jī)氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀，使碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)以及氣體的形式揮發(fā)出去，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨和游離碳的去除。利用化學(xué)氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發(fā)掉，但氧化工藝所添加的強(qiáng)氧化性酸對(duì)人體及機(jī)器都會(huì)有強(qiáng)烈的腐蝕性，所以不利于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。

   其實(shí)，碳化硅微粉除碳的工藝除了可采用化學(xué)法，還可采用物理除碳法，然而，無(wú)論是哪種方法，只要能去除碳化硅微粉中的游離碳，拓寬碳化硅微粉的應(yīng)用范圍，都是可以的。我公司從事碳化硅微粉生產(chǎn)及銷售多年，在加工上也有著豐富的經(jīng)驗(yàn)，成熟的技術(shù)，可以根據(jù)用戶的要求，提供高品質(zhì)的碳化硅微粉。當(dāng)然，如果是對(duì)碳化硅微粉還有疑惑，想要掌握更多相關(guān)信息，也可向我公司咨詢了解。